PBSS4021NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4021NT  📄📄 

Маркировка: *BH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 165 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4021NT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4021NT даташит

 ..1. Size:176K  philips
 pbss4021nt.pdf pdf_icon

PBSS4021NT

PBSS4021NT 20 V, 4.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4021PT. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

 ..2. Size:293K  nxp
 pbss4021nt.pdf pdf_icon

PBSS4021NT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:196K  philips
 pbss4021nx.pdf pdf_icon

PBSS4021NT

PBSS4021NX 20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4021PX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 5.2. Size:190K  philips
 pbss4021nz.pdf pdf_icon

PBSS4021NT

PBSS4021NZ 20 V, 8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4021PZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS306NZ, PBSS306PX, PBSS306PZ, PBSS3515E, PBSS3515M, PBSS3515VS, PBSS3540E, PBSS3540M, BD333, PBSS4021PT, PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, PBSS4032PT, PBSS4041NT, PBSS4041PT, PBSS4120T