PBSS4041PT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4041PT  📄📄 

Маркировка: *BL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4041PT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4041PT даташит

 ..1. Size:182K  philips
 pbss4041pt.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PT 60 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4041NT. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 5.1. Size:181K  philips
 pbss4041pz.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PZ 60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4041NZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 5.2. Size:192K  philips
 pbss4041px.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PX 60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4041NX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 5.3. Size:181K  nxp
 pbss4041pz.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PZ 60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4041NZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS3540M, PBSS4021NT, PBSS4021PT, PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, PBSS4032PT, PBSS4041NT, 2N3904, PBSS4120T, PBSS4130T, PBSS4140DPN, PBSS4140T, PBSS4140U, PBSS4140V, PBSS4160DPN, PBSS4160DS