Справочник транзисторов. PBSS4041PT

 

Биполярный транзистор PBSS4041PT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4041PT
   Маркировка: *BL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PBSS4041PT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4041PT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  philips
 pbss4041pt.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PT60 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NT.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 5.1. Size:181K  philips
 pbss4041pz.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PZ60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 5.2. Size:192K  philips
 pbss4041px.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PX60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation

 5.3. Size:181K  nxp
 pbss4041pz.pdf pdf_icon

PBSS4041PT

PBSS4041PZ60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS3540M , PBSS4021NT , PBSS4021PT , PBSS4032ND , PBSS4032NT , PBSS4032PD , PBSS4032PT , PBSS4041NT , 2N3055 , PBSS4120T , PBSS4130T , PBSS4140DPN , PBSS4140T , PBSS4140U , PBSS4140V , PBSS4160DPN , PBSS4160DS .

 

 
Back to Top

 


 
.