Биполярный транзистор PBSS4140V Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS4140V
Маркировка: 22
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT666
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS4140V Datasheet (PDF)
pbss4140v.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D744PBSS4140V40 V low VCEsat NPN transistorProduct specification 2002 Jun 20Supersedes data of 2001 Nov 05Philips Semiconductors Product specification40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4140VFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm ultra thinVCEO
pbss4140t.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS4140T40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2005 Feb 24Supersedes data of 2005 Feb 14NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 1A PBSS4140TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities.VCEO
pbss4140u.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102PBSS4140U40 V low VCEsat NPN transistorProduct data sheet 2001 Jul 13Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4140UFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities.VCEO
pbss4140dpn.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302PBSS4140DPN40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduct data sheet 2001 Dec 13NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN/PNP transistorPBSS4140DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltageVCEO collector-emitt
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: KTC3878 | 3DD159B | HSE174 | MPQ4146 | BF208 | BFJ49 | TN2907R
History: KTC3878 | 3DD159B | HSE174 | MPQ4146 | BF208 | BFJ49 | TN2907R



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71