Справочник транзисторов. PBSS4160U

 

Биполярный транзистор PBSS4160U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4160U
   Маркировка: 52*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.415 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для PBSS4160U

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  nxp
pbss4160u.pdfpdf_icon

PBSS4160U

PBSS4160U60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT323 (SC-70) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS5160U.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current c

 6.1. Size:207K  philips
pbss4160ds.pdfpdf_icon

PBSS4160U

PBSS4160DS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 04 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.PNP/PNP complement: PBSS5160DS.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High

 6.2. Size:341K  philips
pbss4160t.pdfpdf_icon

PBSS4160U

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PBSS4160T60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 May 12Supersedes data of 2003 Jun 24 NXP Semiconductors Product data sheet60 V, 1 A PBSS4160TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 6.3. Size:258K  philips
pbss4160dpn.pdfpdf_icon

PBSS4160U

PBSS4160DPN60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC

Другие транзисторы... PBSS4130T , PBSS4140DPN , PBSS4140T , PBSS4140U , PBSS4140V , PBSS4160DPN , PBSS4160DS , PBSS4160T , D882 , PBSS4160V , PBSS4220V , PBSS4230T , PBSS4240DPN , PBSS4240T , PBSS4240V , PBSS4240Y , PBSS4250X .

History: BF377 | PBLS6022D

 

 
Back to Top

 


 
.