Справочник транзисторов. PBSS4160V

 

Биполярный транзистор PBSS4160V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4160V
   Маркировка: 41
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT666
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  nxp
pbss4160v.pdfpdf_icon

PBSS4160V

PBSS4160V60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLow VCEsat (BISS) NPN transistor in a SOT666 plastic package.PNP complement: PBSS5160V.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency, reduces heat generation Re

 6.1. Size:207K  philips
pbss4160ds.pdfpdf_icon

PBSS4160V

PBSS4160DS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 04 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.PNP/PNP complement: PBSS5160DS.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High

 6.2. Size:341K  philips
pbss4160t.pdfpdf_icon

PBSS4160V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PBSS4160T60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 May 12Supersedes data of 2003 Jun 24 NXP Semiconductors Product data sheet60 V, 1 A PBSS4160TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 6.3. Size:258K  philips
pbss4160dpn.pdfpdf_icon

PBSS4160V

PBSS4160DPN60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SC5583 | 2SC4178 | 2SC845 | 2SC1758 | MJE13007V8 | P6009 | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.