PBSS4230T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4230T  📄📄 

Маркировка: *3D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 350

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4230T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4230T даташит

 ..1. Size:251K  philips
 pbss4230t.pdf pdf_icon

PBSS4230T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D088 PBSS4230T 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Sep 29 NXP Semiconductors Product data sheet 30 V, 2 A PBSS4230T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and ICM VC

 ..2. Size:467K  nxp
 pbss4230t.pdf pdf_icon

PBSS4230T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:247K  nxp
 pbss4230pan.pdf pdf_icon

PBSS4230T

PBSS4230PAN 30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 14 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4230PANP. PNP/PNP complement PBSS5230PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 6.2. Size:338K  nxp
 pbss4230panp.pdf pdf_icon

PBSS4230T

PBSS4230PANP 30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 14 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4230PAN. PNP/PNP complement PBSS5230PAP. 2. Features and benefits Very low collect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4140U, PBSS4140V, PBSS4160DPN, PBSS4160DS, PBSS4160T, PBSS4160U, PBSS4160V, PBSS4220V, TIP122, PBSS4240DPN, PBSS4240T, PBSS4240V, PBSS4240Y, PBSS4250X, PBSS4320T, PBSS4320X, PBSS4330PA