Справочник транзисторов. PBSS4240V

 

Биполярный транзистор PBSS4240V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4240V
   Маркировка: 42
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT666
 

 Аналог (замена) для PBSS4240V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4240V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  nxp
pbss4240v.pdfpdf_icon

PBSS4240V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PBSS4240V40 V low VCEsat NPN transistorProduct data sheet 2003 Jan 30NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4240VFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and ICMVCEO collector-emitter voltage

 6.1. Size:435K  philips
pbss4240dpn.pdfpdf_icon

PBSS4240V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302PBSS4240DPN40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduct data sheet 2003 Feb 20NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN/PNP transistorPBSS4240DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatMAX. High collector current capability IC and ICMSYMBOL PARAMETER UNIT

 6.2. Size:246K  philips
pbss4240t.pdfpdf_icon

PBSS4240V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS4240T40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 09Supersedes data of 2001 Jul 13 NXP Semiconductors Product data sheet40 V; 2 A NPN low VCEsat PBSS4240T(BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO

 6.3. Size:55K  nxp
pbss4240y.pdfpdf_icon

PBSS4240V

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETageMBD128PBSS4240Y40 V low VCEsat NPN transistorProduct specification 2001 Jul 13Philips Semiconductors Product specification40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4240YFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage 40 V Impr

Другие транзисторы... PBSS4160DS , PBSS4160T , PBSS4160U , PBSS4160V , PBSS4220V , PBSS4230T , PBSS4240DPN , PBSS4240T , 2SD718 , PBSS4240Y , PBSS4250X , PBSS4320T , PBSS4320X , PBSS4330PA , PBSS4330X , PBSS4350D , PBSS4350SPN .

History: MP3563 | KT608A | PBSS4350D | INC6001AC1 | BCW92KA | DTC704 | MRF517

 

 
Back to Top

 


 
.