PBSS5140T - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PBSS5140T
Маркировка: *2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PBSS5140T
PBSS5140T - технические параметры
pbss5140t.pdf
PBSS5140T 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor Rev. 04 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4140T. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current
pbss5140t 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PBSS5140T PNP BISS transistor Product specification 2000 Nov 16 Philips Semiconductors Product specification PNP BISS transistor PBSS5140T FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage ensures 1 base reduced power consumption. 2 emitter 3 collector APPLICATIONS
pbss5140t.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss5140v.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2002 Mar 20 Supersedes data of 2001 Oct 19 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5140V FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin VCEO coll
Другие транзисторы... PBSS4540Z , PBSS4560PA , PBSS4580PA , PBSS4612PA , PBSS4620PA , PBSS4630PA , PBSS5120T , PBSS5130T , TIP35C , PBSS5140U , PBSS5140V , PBSS5160DS , PBSS5160T , PBSS5160U , PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V .
History: 2SC1773
History: 2SC1773
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923








