Биполярный транзистор PBSS5240V Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS5240V
Маркировка: 52
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT666
Аналог (замена) для PBSS5240V
PBSS5240V Datasheet (PDF)
pbss5240v.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss5240v.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5240V (KBSS5240V) SOT523-6(SOT666) Features4 Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM53 High collector current gain (hFE) at high IC6 2 High efficiency leading to reduced heat generation1.collector2.collector Reduced printed-circuit board area requireme
pbss5240t.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5240T40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2001 Oct 31NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 2 A PBSS5240TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO c
pbss5240x.pdf

PBSS5240X40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor19 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power andflat lead SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement:PBSS4240X.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SB736A | 2SA673AK | PMD18D100 | 2SB1603A | PEMX1 | MJE2090 | KSE44H-11
History: 2SB736A | 2SA673AK | PMD18D100 | 2SB1603A | PEMX1 | MJE2090 | KSE44H-11



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement