PBSS5240V - описание и поиск аналогов

 

PBSS5240V - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5240V
   Маркировка: 52
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT666

 Аналоги (замена) для PBSS5240V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5240V - технические параметры

 ..1. Size:567K  nxp
pbss5240v.pdfpdf_icon

PBSS5240V

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:1566K  kexin
pbss5240v.pdfpdf_icon

PBSS5240V

SMD Type Transistors PNP Transistors PBSS5240V (KBSS5240V) SOT523-6(SOT666) Features 4 Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM 5 3 High collector current gain (hFE) at high IC 6 2 High efficiency leading to reduced heat generation 1.collector 2.collector Reduced printed-circuit board area requireme

 6.1. Size:287K  philips
pbss5240t.pdfpdf_icon

PBSS5240V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 15 Supersedes data of 2001 Oct 31 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 2 A PBSS5240T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO c

 6.2. Size:197K  nxp
pbss5240x.pdfpdf_icon

PBSS5240V

PBSS5240X 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 19 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4240X. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H

Другие транзисторы... PBSS5160DS , PBSS5160T , PBSS5160U , PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T , 9014 , PBSS5240Y , PBSS5250T , PBSS5250X , PBSS5320D , PBSS5320T , PBSS5320X , PBSS5330PA , PBSS5330X .

 

 
Back to Top

 


 
.