Биполярный транзистор PBSS5240Y Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS5240Y
Маркировка: 52*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT363
Аналог (замена) для PBSS5240Y
PBSS5240Y Datasheet (PDF)
pbss5240y.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageMBD128PBSS5240Y40 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Feb 28Supersedes data of 2001 Oct 24NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat PNP transistorPBSS5240YFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emit
pbss5240t.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5240T40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2001 Oct 31NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 2 A PBSS5240TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO c
pbss5240x.pdf

PBSS5240X40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor19 October 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power andflat lead SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement:PBSS4240X.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
pbss5240t.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: AUY18-5 | SZD1733 | KC860W | CHFMG2GP | 2SD1392 | RN2107
History: AUY18-5 | SZD1733 | KC860W | CHFMG2GP | 2SD1392 | RN2107



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet