PBSS5540X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5540X  📄📄 

Маркировка: *1G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5540X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5540X даташит

 ..1. Size:193K  philips
 pbss5540x.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5540X 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2004 Jan 15 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 5 A PBSS5540X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 ..2. Size:193K  nxp
 pbss5540x.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5540X 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2004 Jan 15 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 5 A PBSS5540X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 6.1. Size:144K  philips
 pbss5540z.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D087 PBSS5540Z 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2001 Sep 21 Supersedes data of 2001 Jan 26 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5540Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX UNIT High current capability VCEO emitter-collect

 6.2. Size:67K  philips
 pbss5540z 2.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 PBSS5540Z PNP Transistor Product specification 2000 Oct 25 Supersedes data of 1999 Aug 04 Philips Semiconductors Product specification PNP Transistor PBSS5540Z FEATURES PINNING Low VCEsat PIN DESCRIPTION High current capabilities. 1 base 2 collector APPLICATIONS 3 emitter Heavy duty battery powered equip

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5350SS, PBSS5350T, PBSS5350X, PBSS5350Z, PBSS5420D, PBSS5440D, PBSS5480X, PBSS5520X, BC549, PBSS5540Z, PBSS5560PA, PBSS5580PA, PBSS5612PA, PBSS5620PA, PBSS5630PA, PBSS8110D, PBSS8110T