Справочник транзисторов. PBSS5540X

 

Биполярный транзистор PBSS5540X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS5540X
   Маркировка: *1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5540X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  philips
 pbss5540x.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5540X40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2004 Jan 15NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 5 A PBSS5540XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 ..2. Size:193K  nxp
 pbss5540x.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5540X40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2004 Jan 15NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 5 A PBSS5540XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 6.1. Size:144K  philips
 pbss5540z.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageM3D087PBSS5540Z40 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2001 Sep 21Supersedes data of 2001 Jan 26NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat PNP transistorPBSS5540ZFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX UNIT High current capabilityVCEO emitter-collect

 6.2. Size:67K  philips
 pbss5540z 2.pdf pdf_icon

PBSS5540X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PBSS5540ZPNP TransistorProduct specification 2000 Oct 25Supersedes data of 1999 Aug 04Philips Semiconductors Product specificationPNP Transistor PBSS5540ZFEATURES PINNING Low VCEsatPIN DESCRIPTION High current capabilities.1 base2 collectorAPPLICATIONS3 emitter Heavy duty battery powered equip

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.