Биполярный транзистор PBSS5612PA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS5612PA
Маркировка: A9
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 175 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SOT1061
Аналог (замена) для PBSS5612PA
PBSS5612PA Datasheet (PDF)
pbss5612pa.pdf

PBSS5612PA12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.NPN complement: PBSS4612PA.1.2 Features and benefits
pbss5612pa.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss5630pa.pdf

PBSS5630PA30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 19 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.NPN complement: PBSS4630PA.1.2 Features and benefits
pbss5620pa.pdf

PBSS5620PA20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 13 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.NPN complement: PBSS4620PA.1.2 Features and benefits
Другие транзисторы... PBSS5420D , PBSS5440D , PBSS5480X , PBSS5520X , PBSS5540X , PBSS5540Z , PBSS5560PA , PBSS5580PA , 2SA1015 , PBSS5620PA , PBSS5630PA , PBSS8110D , PBSS8110T , PBSS8110X , PBSS8110Y , PBSS8110Z , PBSS8510PA .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124