PBSS5612PA - описание и поиск аналогов

 

PBSS5612PA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5612PA
   Маркировка: A9
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 175 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT1061

 Аналоги (замена) для PBSS5612PA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5612PA - технические параметры

 ..1. Size:154K  philips
pbss5612pa.pdfpdf_icon

PBSS5612PA

PBSS5612PA 12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4612PA. 1.2 Features and benefits

 ..2. Size:271K  nxp
pbss5612pa.pdfpdf_icon

PBSS5612PA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.1. Size:350K  philips
pbss5630pa.pdfpdf_icon

PBSS5612PA

PBSS5630PA 30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 19 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4630PA. 1.2 Features and benefits

 8.2. Size:168K  philips
pbss5620pa.pdfpdf_icon

PBSS5612PA

PBSS5620PA 20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 13 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4620PA. 1.2 Features and benefits

Другие транзисторы... PBSS5420D , PBSS5440D , PBSS5480X , PBSS5520X , PBSS5540X , PBSS5540Z , PBSS5560PA , PBSS5580PA , BC639 , PBSS5620PA , PBSS5630PA , PBSS8110D , PBSS8110T , PBSS8110X , PBSS8110Y , PBSS8110Z , PBSS8510PA .

 

 
Back to Top

 


 
.