PBSS9110Y - описание и поиск аналогов

 

PBSS9110Y - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS9110Y
   Маркировка: 91*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для PBSS9110Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS9110Y - технические параметры

 ..1. Size:153K  nxp
pbss9110y.pdfpdf_icon

PBSS9110Y

PBSS9110Y 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat transistor in a SOT363 (SC-88) plastic package. 1.2 Features SOT363 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency leading to less heat generation 1.3 A

 6.1. Size:180K  philips
pbss9110t.pdfpdf_icon

PBSS9110Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PBSS9110T 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 May 13 Supersedes data of 2004 May 06 NXP Semiconductors Product data sheet 100 V, 1 A PBSS9110T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio

 6.2. Size:184K  nxp
pbss9110x.pdfpdf_icon

PBSS9110Y

PBSS9110X 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. NPN complement PBSS8110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca

 6.3. Size:188K  nxp
pbss9110z.pdfpdf_icon

PBSS9110Y

PBSS9110Z 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS8110Z. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

Другие транзисторы... PBSS8110T , PBSS8110X , PBSS8110Y , PBSS8110Z , PBSS8510PA , PBSS9110D , PBSS9110T , PBSS9110X , D882P , PBSS9110Z , PBSS9410PA , PDTA113EE , PDTA113EM , PDTA113ET , PDTA113EU , PDTA113ZE , PDTA113ZM .

 

 
Back to Top

 


 
.