PDTA114EE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114EE  📄📄 

Маркировка: 3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114EE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114EE даташит

 ..1. Size:57K  motorola
 pdta114ee 2.pdf pdf_icon

PDTA114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

 ..2. Size:57K  philips
 pdta114ee 2.pdf pdf_icon

PDTA114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114EE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification of circuit

 ..3. Size:859K  nxp
 pdta114ee pdta114em pdta114et pdta114eu.pdf pdf_icon

PDTA114EE

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.1. Size:54K  motorola
 pdta114eef 2.pdf pdf_icon

PDTA114EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA113EE, PDTA113EM, PDTA113ET, PDTA113EU, PDTA113ZE, PDTA113ZM, PDTA113ZT, PDTA113ZU, TIP41C, PDTA114EM, PDTA114ET, PDTA114EU, PDTA114TE, PDTA114TM, PDTA114TT, PDTA114TU, PDTA114YE