PDTA114EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114EM  📄📄 

Маркировка: E5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT883

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114EM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114EM даташит

 ..1. Size:859K  nxp
 pdta114ee pdta114em pdta114et pdta114eu.pdf pdf_icon

PDTA114EM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:58K  motorola
 pdta114eu 6.pdf pdf_icon

PDTA114EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:54K  motorola
 pdta114eef 2.pdf pdf_icon

PDTA114EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 6.3. Size:58K  motorola
 pdta114es 2.pdf pdf_icon

PDTA114EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA113EM, PDTA113ET, PDTA113EU, PDTA113ZE, PDTA113ZM, PDTA113ZT, PDTA113ZU, PDTA114EE, BD139, PDTA114ET, PDTA114EU, PDTA114TE, PDTA114TM, PDTA114TT, PDTA114TU, PDTA114YE, PDTA114YM