PDTA114TE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114TE  📄📄 

Маркировка: 11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114TE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TE даташит

 ..1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 ..2. Size:52K  motorola
pdta114te 2.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 ..3. Size:52K  philips
pdta114te 2.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.1. Size:51K  motorola
pdta114tt 3.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce

Другие транзисторы: PDTA113ZE, PDTA113ZM, PDTA113ZT, PDTA113ZU, PDTA114EE, PDTA114EM, PDTA114ET, PDTA114EU, 2N5551, PDTA114TM, PDTA114TT, PDTA114TU, PDTA114YE, PDTA114YM, PDTA114YT, PDTA114YU, PDTA115EE