Справочник транзисторов. PDTA114TE

 

Биполярный транзистор PDTA114TE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA114TE
   Маркировка: 11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT416
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 ..2. Size:52K  motorola
pdta114te 2.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 ..3. Size:52K  philips
pdta114te 2.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 6.1. Size:51K  motorola
pdta114tt 3.pdfpdf_icon

PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA114TTPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Objective specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TTFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design3handbook, 4 columns Reduce

Другие транзисторы... PDTA113ZE , PDTA113ZM , PDTA113ZT , PDTA113ZU , PDTA114EE , PDTA114EM , PDTA114ET , PDTA114EU , AC125 , PDTA114TM , PDTA114TT , PDTA114TU , PDTA114YE , PDTA114YM , PDTA114YT , PDTA114YU , PDTA115EE .

 

 
Back to Top

 


 
.