PDTA114TE Todos los transistores

 

PDTA114TE Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDTA114TE
   Código: 11
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT416
 

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PDTA114TE PDF detailed specifications

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PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R... See More ⇒

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PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R... See More ⇒

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PDTA114TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R... See More ⇒

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce... See More ⇒

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