PDTA114TE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDTA114TE 📄📄

Código: 11

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT416

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PDTA114TE datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce