PDTA123JM - описание и поиск аналогов

 

PDTA123JM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA123JM
   Маркировка: DG
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT883

 Аналоги (замена) для PDTA123JM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JM - технические параметры

 ..1. Size:1050K  nxp
pdta123je pdta123jm pdta123jt pdta123ju.pdfpdf_icon

PDTA123JM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

PDTA123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.2. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 6.3. Size:56K  motorola
pdta123jt 1.pdfpdf_icon

PDTA123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123JT PNP resistor-equipped transistor 1999 May 27 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JT FEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3 Reduces number

Другие транзисторы... PDTA115TM , PDTA115TT , PDTA115TU , PDTA123EE , PDTA123EM , PDTA123ET , PDTA123EU , PDTA123JE , A1941 , PDTA123JT , PDTA123JU , PDTA123TE , PDTA123TM , PDTA123TT , PDTA123TU , PDTA123YE , PDTA123YM .

History: 9016D

 

 
Back to Top

 


 
.