PDTA123JT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA123JT  📄📄 

Маркировка: *23_p23_t23_W23

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA123JT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JT даташит

 ..1. Size:56K  motorola
 pdta123jt 1.pdf pdf_icon

PDTA123JT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123JT PNP resistor-equipped transistor 1999 May 27 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JT FEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3 Reduces number

 ..2. Size:56K  philips
 pdta123jt 1.pdf pdf_icon

PDTA123JT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123JT PNP resistor-equipped transistor 1999 May 27 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JT FEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3 Reduces number

 ..3. Size:1050K  nxp
 pdta123je pdta123jm pdta123jt pdta123ju.pdf pdf_icon

PDTA123JT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:54K  motorola
 pdta123jef 1.pdf pdf_icon

PDTA123JT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA115TT, PDTA115TU, PDTA123EE, PDTA123EM, PDTA123ET, PDTA123EU, PDTA123JE, PDTA123JM, TIP31C, PDTA123JU, PDTA123TE, PDTA123TM, PDTA123TT, PDTA123TU, PDTA123YE, PDTA123YM, PDTA123YT