Справочник транзисторов. PDTC114ET

 

Биполярный транзистор PDTC114ET Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC114ET
   Маркировка: p16_t16_W16
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  motorola
 pdtc114et 7.pdf pdf_icon

PDTC114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThalfpageM3D088PDTC114ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3dbook, 4 columns3 Simplification of circuit designR1

 ..2. Size:56K  philips
 pdtc114et 7.pdf pdf_icon

PDTC114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThalfpageM3D088PDTC114ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3dbook, 4 columns3 Simplification of circuit designR1

 6.1. Size:58K  motorola
 pdtc114eu 4.pdf pdf_icon

PDTC114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC114EUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.2. Size:56K  motorola
 pdtc114ee 4.pdf pdf_icon

PDTC114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114EENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design1 base/input

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.