PDTC114ET - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор PDTC114ET - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: PDTC114ET
   Маркировка: p16_t16_W16
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для PDTC114ET

PDTC114ET Datasheet (PDF)

..1. Size:56K motorola
pdtc114et 7.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThalfpageM3D088PDTC114ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3dbook, 4 columns3 Simplification of circuit designR1

..2. Size:56K philips
pdtc114et 7.pdf

6.1. Size:58K motorola
pdtc114eu 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC114EUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design

6.2. Size:56K motorola
pdtc114ee 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114EENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each)PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design1 base/input

6.3. Size:57K motorola
pdtc114es 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114ESNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) Simplification of circuit designhandbook, halfpage2 Reduces numbe

6.4. Size:57K motorola
pdtc114ek 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC114EKNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplification of circuit design3 Reduces number

6.5. Size:55K motorola
pdtc114eef 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC114EEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 31Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EEFFEATURES Power dissipation comparable toSOT23 Built-in bias resistors R1 and R23handbook, halfpage(typ. 10 k each) 3R1

6.6. Size:58K philips
pdtc114eu 4.pdf

6.7. Size:174K philips
pdtc114e series.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC114E seriesNPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k, R2 = 10 kProduct data sheet 2004 Aug 05Supersedes data of 2003 Apr 10NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistor; PDTC114E seriesR1 = 10 k, R2 = 10 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

6.8. Size:56K philips
pdtc114ee 4.pdf