Справочник транзисторов. PDTC123JE

 

Биполярный транзистор PDTC123JE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC123JE
   Маркировка: 28_5A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTC123JE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123JE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  motorola
 pdtc123je 3.pdf pdf_icon

PDTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 ..2. Size:55K  philips
 pdtc123je 3.pdf pdf_icon

PDTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 0.1. Size:54K  motorola
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 0.2. Size:54K  philips
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC115TE , PDTC115TM , PDTC115TT , PDTC115TU , PDTC123EE , PDTC123EM , PDTC123ET , PDTC123EU , 2N3904 , PDTC123JM , PDTC123JT , PDTC123JU , PDTC123TE , PDTC123TM , PDTC123TT , PDTC123TU , PDTC123YE .

History: 2SC2951 | MJL4302A | 2SC47 | CHDTA143ZUGP | MMBT6520 | CIL332 | PN3903

 

 
Back to Top

 


 
.