PDTC124XE - описание и поиск аналогов

 

PDTC124XE - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC124XE
   Маркировка: 32
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT416

 Аналоги (замена) для PDTC124XE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124XE - технические параметры

 ..1. Size:55K  motorola
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage

 ..2. Size:55K  philips
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage

 0.1. Size:54K  motorola
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 0.2. Size:54K  philips
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC124EE , PDTC124EM , PDTC124ET , PDTC124EU , PDTC124TE , PDTC124TM , PDTC124TT , PDTC124TU , 13003 , PDTC124XM , PDTC124XT , PDTC124XU , PDTC143EE , PDTC143EM , PDTC143ET , PDTC143EU , PDTC143TE .

History: NA02HX | NA02FJ | KCP55

 

 
Back to Top

 


 
.