Справочник транзисторов. PDTC143EM

 

Биполярный транзистор PDTC143EM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC143EM
   Маркировка: E1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT883
 

 Аналог (замена) для PDTC143EM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC143EM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:57K  motorola
 pdtc143ek 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC143EKNPN resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 16File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143EKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each)3 Simplificati

 6.2. Size:58K  motorola
 pdtc143eu 3.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC143EUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2typ. 4.7 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.3. Size:56K  motorola
 pdtc143ee 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC143EENPN resistor-equipped transistor1998 Jul 31Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig

 6.4. Size:58K  motorola
 pdtc143es 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC143ESNPN resistor-equipped transistor1998 May 20Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each) Simplification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BC307VI | BF463EA | MJH6285 | CD9018I | PDTA143ZM | BA16P25A

 

 
Back to Top

 


 
.