PDTC143EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC143EM  📄📄 

Маркировка: E1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT883

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC143EM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC143EM даташит

 6.1. Size:57K  motorola
 pdtc143ek 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC143EK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 16 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) 3 Simplificati

 6.2. Size:58K  motorola
 pdtc143eu 3.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC143EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 14 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 typ. 4.7 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 6.3. Size:56K  motorola
 pdtc143ee 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC143EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig

 6.4. Size:58K  motorola
 pdtc143es 2.pdf pdf_icon

PDTC143EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC143ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 20 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC124TM, PDTC124TT, PDTC124TU, PDTC124XE, PDTC124XM, PDTC124XT, PDTC124XU, PDTC143EE, A733, PDTC143ET, PDTC143EU, PDTC143TE, PDTC143TM, PDTC143TT, PDTC143TU, PDTC143XE, PDTC143XM