PDTC144ET datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTC144ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC144ET 📄📄

Маркировка: *08_p08_t08_W08

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTC144ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTC144ET даташит

..1. Size:56K motorola
pdtc144et 5.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

..2. Size:56K philips
pdtc144et 5.pdf pdf_icon

6.1. Size:54K motorola
pdtc144eef 1.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

6.2. Size:58K motorola
pdtc144eu 3.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi