PDTC144EU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC144EU  📄📄 

Маркировка: *08_p08_t08_W08

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC144EU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC144EU даташит

 ..1. Size:58K  motorola
pdtc144eu 3.pdfpdf_icon

PDTC144EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi

 ..2. Size:58K  philips
pdtc144eu 3.pdfpdf_icon

PDTC144EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi

 6.1. Size:54K  motorola
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

PDTC144EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 6.2. Size:58K  motorola
pdtc144es 2.pdfpdf_icon

PDTC144EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC144ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 01 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification o

Другие транзисторы: PDTC143XU, PDTC143ZE, PDTC143ZM, PDTC143ZT, PDTC143ZU, PDTC144EE, PDTC144EM, PDTC144ET, 2SC2625, PDTC144TE, PDTC144TM, PDTC144TT, PDTC144TU, PDTC144VE, PDTC144VM, PDTC144VT, PDTC144VU