PDTC144WE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC144WE  📄📄 

Маркировка: 42

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC144WE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC144WE даташит

 0.1. Size:139K  nxp
 pdtc144wef pdtc144wk pdtc144ws.pdf pdf_icon

PDTC144WE

 6.1. Size:55K  motorola
 pdtc144wt 3.pdf pdf_icon

PDTC144WE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144WT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 25 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144WT FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

 6.2. Size:57K  motorola
 pdtc144wu 3.pdf pdf_icon

PDTC144WE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144WU NPN resistor-equipped transistor 1999 May 25 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144WU FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

 6.3. Size:55K  philips
 pdtc144wt 3.pdf pdf_icon

PDTC144WE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC144WT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 25 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144WT FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC144TE, PDTC144TM, PDTC144TT, PDTC144TU, PDTC144VE, PDTC144VM, PDTC144VT, PDTC144VU, S9013, PDTC144WM, PDTC144WT, PDTC144WU, PDTD113ET, PDTD113ZT, PDTD123ET, PDTD123TT, PDTD123YT