PEMB9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMB9  📄📄 

Маркировка: Z6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMB9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMB9 даташит

 ..1. Size:137K  philips
 pemb9 pumb9.pdf pdf_icon

PEMB9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB9; PUMB9 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 03 Supersedes data of 2003 Feb 03 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB9; PUMB9 R1 = 10 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

Другие транзисторы: PEMB18, PEMB19, PEMB2, PEMB20, PEMB24, PEMB3, PEMB30, PEMB4, S9018, PEMD10, PEMD12, PEMD13, PEMD14, PEMD15, PEMD16, PEMD17, PEMD18