Биполярный транзистор PEMB9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PEMB9
Маркировка: Z6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT666
PEMB9 Datasheet (PDF)
..1. Size:137K philips
pemb9 pumb9.pdf
pemb9 pumb9.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB9; PUMB9PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 03Supersedes data of 2003 Feb 03NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB9; PUMB9R1 = 10 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
