PEMH30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMH30  📄📄 

Маркировка: 2S

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMH30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMH30 даташит

 ..1. Size:72K  philips
 pemh30 pumh30.pdf pdf_icon

PEMH30

PEMH30; PUMH30 NPN/NPN double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 28 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complement Philips JEITA PEMH30 SOT66

Другие транзисторы: PEMH15, PEMH16, PEMH17, PEMH18, PEMH19, PEMH2, PEMH20, PEMH24, TIP3055, PEMH4, PEMH7, PEMH9, PEMT1, PEMX1, PEMZ1, PEMZ7, PHD13003C