PEMH4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMH4  📄📄 

Маркировка: H4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMH4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMH4 даташит

 ..1. Size:240K  nxp
 pemh4 pumh4.pdf pdf_icon

PEMH4

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH4; PUMH4 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Oct 02 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH4; PUMH4 R1 = 10 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

Другие транзисторы: PEMH16, PEMH17, PEMH18, PEMH19, PEMH2, PEMH20, PEMH24, PEMH30, D882, PEMH7, PEMH9, PEMT1, PEMX1, PEMZ1, PEMZ7, PHD13003C, PHD13005