Биполярный транзистор PEMH4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PEMH4
Маркировка: H4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT666
PEMH4 Datasheet (PDF)
..1. Size:240K nxp
pemh4 pumh4.pdf
pemh4 pumh4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH4; PUMH4NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Oct 02NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH4; PUMH4R1 = 10 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
