PIMH9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PIMH9  📄📄 

Маркировка: H9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT457

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PIMH9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PIMH9 даташит

 ..1. Size:151K  philips
 pimh9 pumh9 pemh9.pdf pdf_icon

PIMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k , R2 = 47 k PEMH9 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER T

 ..2. Size:282K  nxp
 pimh9 pumh9 pemh9.pdf pdf_icon

PIMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k , R2 = 47 k PEMH9 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER T

Другие транзисторы: PHE13003A, PHE13003C, PHE13005, PHE13005X, PHE13007, PHE13009, PIMD2, PIMD3, MJE340, PIMN31, PIMT1, PMBS3904, PMBS3906, PMBT2222, PMBT2222A, PMBT2369, PMBT2907