Биполярный транзистор PMBS3904 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMBS3904
Маркировка: pO4_t04_tO4_WO4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
PMBS3904 Datasheet (PDF)
pmbs3904 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3904NPN general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
pmbs3904.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3904NPN general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin
pmbs3904.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3904NPN general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin
pmbs3906 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3906PNP general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor PMBS3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
pmbs3906.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3906PNP general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistor PMBS3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050