Справочник транзисторов. PMBT5551

 

Биполярный транзистор PMBT5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMBT5551
   Маркировка: G1_pG1_tG1_WG1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMBT5551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMBT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
pmbt5551.pdfpdf_icon

PMBT5551

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PMBT5551NPN high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Jan 21Supersedes data of 1999 Apr 15NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistor PMBT5551FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Gene

 ..2. Size:49K  philips
pmbt5551 3.pdfpdf_icon

PMBT5551

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBT5551NPN high-voltage transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 02Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor PMBT5551FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

 ..3. Size:111K  nxp
pmbt5551.pdfpdf_icon

PMBT5551

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PMBT5551NPN high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Jan 21Supersedes data of 1999 Apr 15NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistor PMBT5551FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Gene

 7.1. Size:49K  philips
pmbt5550 3.pdfpdf_icon

PMBT5551

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBT5550NPN high-voltage transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 16Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor PMBT5550FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 140 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

Другие транзисторы... PMBT2222A , PMBT2369 , PMBT2907 , PMBT2907A , PMBT3906 , PMBT4401 , PMBT4403 , PMBT5550 , TIP42 , PMBT6428 , PMBT6429 , PMBTA45 , PMMT491A , PMMT591A , PMSS3904 , PMSS3906 , PMST2222 .

History: BSY41 | 2SA1967 | KT3145V-9

 

 
Back to Top

 


 
.