PMBT5551 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMBT5551 📄📄
Código: G1_pG1_tG1_WG1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SOT23
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PMBT5551 datasheet
pmbt5551.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor Product data sheet 2004 Jan 21 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor PMBT5551 FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Gene
pmbt5551 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor PMBT5551 FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector
pmbt5551.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor Product data sheet 2004 Jan 21 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor PMBT5551 FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Gene
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