PUMB9. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PUMB9
Маркировка: B*9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для PUMB9
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
PUMB9 даташит
pemb9 pumb9.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB9; PUMB9 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 03 Supersedes data of 2003 Feb 03 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB9; PUMB9 R1 = 10 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... PUMB18 , PUMB19 , PUMB2 , PUMB20 , PUMB24 , PUMB3 , PUMB30 , PUMB4 , BC547 , PUMD10 , PUMD12 , PUMD13 , PUMD14 , PUMD15 , PUMD16 , PUMD17 , PUMD18 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188

