PUMB9 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PUMB9 📄📄
Código: B*9
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT363
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PUMB9 datasheet
pemb9 pumb9.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB9; PUMB9 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 03 Supersedes data of 2003 Feb 03 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB9; PUMB9 R1 = 10 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Otros transistores... PUMB18, PUMB19, PUMB2, PUMB20, PUMB24, PUMB3, PUMB30, PUMB4, BC547, PUMD10, PUMD12, PUMD13, PUMD14, PUMD15, PUMD16, PUMD17, PUMD18
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: PUMD19
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