PUMB9 Todos los transistores

 

PUMB9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMB9
   Código: B*9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMB9 Datasheet (PDF)

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PUMB9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB9; PUMB9PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 03Supersedes data of 2003 Feb 03NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB9; PUMB9R1 = 10 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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History: PMST6429 | CEN-U56

 

 
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