Биполярный транзистор PUMX1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PUMX1
Маркировка: ZtZ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT363
PUMX1 Datasheet (PDF)
pumx1 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageMBD128PUMX1NPN general purposedouble transistor1999 Apr 14Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN general purpose double transistor PUMX1FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V)1, 4 emitter TR1; TR2
pumx1.pdf
PUMX140 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistorRev. 04 20 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN general-purpose transistor with two independently operating transistors in a SOT363 (SC-88) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complement
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050