PUMX1 Todos los transistores

 

PUMX1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMX1
   Código: ZtZ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMX1 datasheet

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PUMX1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage MBD128 PUMX1 NPN general purpose double transistor 1999 Apr 14 Preliminary specification Supersedes data of 1997 Jul 09 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN general purpose double transistor PUMX1 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V) 1, 4 emitter TR1; TR2

 ..2. Size:712K  nxp
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PUMX1

PUMX1 40 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor Rev. 04 20 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN general-purpose transistor with two independently operating transistors in a SOT363 (SC-88) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/PNP complement complement

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History: PXTA42

 

 

 


 
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