Биполярный транзистор PXTA42 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PXTA42
Маркировка: p1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT89
PXTA42 Datasheet (PDF)
pxta42.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PXTA42NPN high-voltage transistorProduct data sheet 2004 Dec 09Supersedes data of 1999 Apr 26 NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistor PXTA42FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS3 base Teleph
pxta42 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109PXTA42NPN high-voltage transistor1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 18Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor PXTA42FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS3 base
pxta42.pdf
PXTA42300 V, 100 mA NPN high-voltage transistorRev. 5 11 July 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PXTA92.1.2 Features and benefits High breakdown voltage AEC-Q101 qualified Medium power and flat lead
pxta44.pdf
PXTA44Electrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedParameter Symbol Min Typ Max Units ConditionsV(BR)CBO IC=100A, IE=0Collector-Base Breakdown Voltage 500 VV(BR)CEO IC=1mA, IB=0Collector-Emitter Breakdown Voltage 400 VV(BR)EBO IE=10A, IC=0Emitter-Base Breakdown Voltage 6VICBO VCB=400V, IE=0Collector-Base Cutoff Current 100 nAIEBO VEB=4V, IC=0Emitter-
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050