2ST5949 - описание и поиск аналогов

 

2ST5949. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2ST5949

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2ST5949

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2ST5949 даташит

 ..1. Size:135K  st
 2st5949.pdf pdf_icon

2ST5949

2ST5949 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2ST2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oC Application 1 Audio power amplifier 2 TO-3 Description The device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagram using new BiT-LA (Bipolar transistor for linea

Другие транзисторы: PXTA42, PXTA92, PZT4401, PZT4403, PZTA14, PZTA44, 2ST2121, 2ST31A, SS8050, 2STA1694, 2STA1695, 2STA1943, 2STA1962, 2STA2120, 2STA2121, 2STA2510, 2STC2510

 

 

 

 

↑ Back to Top
.