Биполярный транзистор 2ST5949 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2ST5949
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO3
2ST5949 Datasheet (PDF)
..1. Size:135K st
2st5949.pdf
2st5949.pdf
2ST5949High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2ST2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication1 Audio power amplifier2TO-3DescriptionThe device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for linea
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP122 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC2552
