2ST5949 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2ST5949  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3

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2ST5949 datasheet

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2ST5949

2ST5949 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2ST2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oC Application 1 Audio power amplifier 2 TO-3 Description The device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagram using new BiT-LA (Bipolar transistor for linea

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