2ST5949 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2ST5949
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO3
2ST5949 Datasheet (PDF)
2st5949.pdf

2ST5949High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2ST2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication1 Audio power amplifier2TO-3DescriptionThe device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for linea
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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