Справочник транзисторов. 2STA1962

 

Биполярный транзистор 2STA1962 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2STA1962
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2STA1962 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  st
 2sta1962.pdf pdf_icon

2STA1962

2STA1962High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -230 V Complementary to 2STC5242 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifier TO-3PDescriptionThis device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulti

 8.1. Size:188K  st
 2sta1943.pdf pdf_icon

2STA1962

2STA1943High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO > -230V Complementary to 2STC5200 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifierTO-264DescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resultin

 9.1. Size:142K  st
 2sta1694.pdf pdf_icon

2STA1962

2STA1694High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -120 V Complementary to 2STC4467 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new Bi

 9.2. Size:167K  st
 2sta1695.pdf pdf_icon

2STA1962

2STA1695High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STC4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Applications1 Audio power amplifierTO-3PDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N6579 | GI2716 | 2SB1447 | AF109 | DTB113ZCA | TD13005SMD | CT5603

 

 
Back to Top

 


 
.