Биполярный транзистор 2STC4468 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2STC4468
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO3P
2STC4468 Datasheet (PDF)
2stc4468.pdf
2STC4468High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 140 V Complementary to 2STA1695 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC3Application21 Audio power amplifierTO-3PDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for
2stc4467.pdf
2STC4467High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 120 V Complementary to 2STA1694 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a NPN transistor manufactured using new BiT
2stc4793.pdf
2STC4793NPN power bipolar transistorPreliminary dataFeatures High breakdown voltage VCEO = 230 V Complementary to 2STA1837 High transition frequency, typical fT = 100 MHzApplications Audio power amplifier32 Drive stage amplifier1TO-220FPDescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new PB-HDC (power bipolar high density Figu
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
