STP03D200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STP03D200  📄📄 

Маркировка: P03D200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STP03D200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STP03D200 даташит

 ..1. Size:129K  st
 stp03d200.pdf pdf_icon

STP03D200

STP03D200 2 kV NPN Darlington transistor Features Extra high voltage capability TAB High gain characteristic Application Active start-up network in 3 phase S.M.P.S. 3 (see application note AN2454) 2 1 TO-220 Description The STP03D200 is made by two extra high voltage NPN transistors in Darlington configuration housed in a single package. The resulting device sho

Другие транзисторы: STN83003, STN851, STN851A, STN878, STN888, STN9260, STN93003, STN951, TIP41, STPSA42, STPSA92, STS05DTP03, STSA1805, STSA851, STT13005, STT818B, STW13009