Биполярный транзистор 2SC5376 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5376
Маркировка: FA_FB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SSM
2SC5376 Datasheet (PDF)
2sc5376.pdf
2SC5376 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5376 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm For Muting and Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @I = 10 mA/I = 0.5 mA C B High collector current: I = 400 mA (max) CMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating Un
2sc5376fv.pdf
2SC5376FV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5376FV Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmFor Muting and Switching Applications Low Collector Saturation Voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) 1.20.05 @IC = 10 mA/IB = 0.5 mA 0.80.05 High Collector Current: IC = 400 mA (max) 1 2 3Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
2sc5376f.pdf
2SC5376F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5376F Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm For Muting and Switching Applications Low Collector Saturation Voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @I = 10 mA/I = 0.5 mA C B High Collector Current: I = 400 mA (max) CMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating
2sc5376ct.pdf
2SC5376CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC5376CT General Purpose Amplifier Applications Unit: mmSwitching and Muting Switch Applications 0.60.050.50.03 Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @IC = 10 mA/IB = 0.5 mA Large collector current: IC = 400 mA (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 0.35
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050