Биполярный транзистор HN1A07F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HN1A07F
Маркировка: 47
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SM6
Аналог (замена) для HN1A07F
HN1A07F Datasheet (PDF)
hn1a07f.pdf

HN1A07F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A07F Unit: mmAudio Frequency Small Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching applications Excellent Currrent gain(hFE )linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollecto
hn1a01fe.pdf

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
hn1a01f.pdf

HN1A01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01F Unit: mmAudio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1 mA) / hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
hn1a01fe-y hn1a01fe-gr.pdf

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120 to 400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: PTB20125 | KTC9011S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033