Справочник транзисторов. HN1A07F

 

Биполярный транзистор HN1A07F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN1A07F
   Маркировка: 47
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SM6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HN1A07F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  toshiba
hn1a07f.pdfpdf_icon

HN1A07F

HN1A07F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A07F Unit: mmAudio Frequency Small Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching applications Excellent Currrent gain(hFE )linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollecto

 9.1. Size:174K  toshiba
hn1a01fe.pdfpdf_icon

HN1A07F

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 9.2. Size:228K  toshiba
hn1a01f.pdfpdf_icon

HN1A07F

HN1A01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01F Unit: mmAudio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1 mA) / hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 9.3. Size:204K  toshiba
hn1a01fe-y hn1a01fe-gr.pdfpdf_icon

HN1A07F

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120 to 400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA1182

 

 
Back to Top

 


 
.