HN1C05FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1C05FE

Маркировка: FA_FB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: ES6

 Аналоги (замена) для HN1C05FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1C05FE даташит

 ..1. Size:207K  toshiba
 hn1c05fe.pdf pdf_icon

HN1C05FE

HN1C05FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C05FE Unit mm Low Frequency Amplifier Applications Muting Application Switching Application Low Saturation Voltage VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) @ IC = 10mA/ IB = 0.5mA High Collector Current IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collec

 9.1. Size:240K  toshiba
 hn1c01fu.pdf pdf_icon

HN1C05FE

HN1C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current V = 50V, I = 150mA (max) CEO C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity FE h (I = 0.1mA) / h (I = 2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Absolute Maximum Ratings

 9.2. Size:180K  toshiba
 hn1c01fe.pdf pdf_icon

HN1C05FE

HN1C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q

 9.3. Size:286K  toshiba
 hn1c03fu.pdf pdf_icon

HN1C05FE

HN1C03FU TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) HN1C03FU Unit mm For Muting and Switching Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) High emitter-base voltage V = 25V (min) EBO High reverse h reverse h = 150 (typ.)(V =-2V, I =-4mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.)(I = 5mA) ON B Absolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HN1B04FE, HN1B04FU, HN1B26FS, HN1C01F, HN1C01FE, HN1C01FU, HN1C03F, HN1C03FU, BC557, HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS