RN1101FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1101FS

Маркировка: L0

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: FSM

 Аналоги (замена) для RN1101FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1101FS даташит

 ..1. Size:126K  toshiba
 rn1101fs rn1102fs rn1103fs rn1104fs rn1105fs rn1106fs.pdf pdf_icon

RN1101FS

RN1101FS RN1106FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101FS,RN1102FS,RN1103FS RN1104FS,RN1105FS,RN1106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of e

 0.1. Size:98K  toshiba
 rn1101fs-1106fs l0-1-2-3-4-5 sot823.pdf pdf_icon

RN1101FS

RN1101FS RN1106FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101FS,RN1102FS,RN1103FS RN1104FS,RN1105FS,RN1106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of e

 7.1. Size:147K  toshiba
 rn1101f-1106f xa-b-c-d-e-f sot490.pdf pdf_icon

RN1101FS

RN1101F RN1106F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101F,RN1102F,RN1103F RN1104F,RN1105F,RN1106F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2101F RN2106F Equivalent

 7.2. Size:211K  toshiba
 rn1101ft-1106ft xa-b-c-d-e-f sot623.pdf pdf_icon

RN1101FS

RN1101FT RN1106FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101FT, RN1102FT, RN1103FT RN1104FT, RN1105FT, RN1106FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT, 2SD2499, RN1101MFV, RN1101, RN1102ACT, RN1102CT, RN1102FS, RN1102MFV, RN1102, RN1103ACT