RN1106. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1106

Маркировка: XF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT416 SC75 SSM

 Аналоги (замена) для RN1106

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1106 даташит

 ..1. Size:566K  toshiba
 rn1101 rn1106.pdf pdf_icon

RN1106

RN1101 RN1106 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101, RN1102, RN1103, RN1104, RN1105, RN1106 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2101 RN2106 Equivale

 0.1. Size:168K  toshiba
 rn1101act rn1106act.pdf pdf_icon

RN1106

RN1101ACT RN1106ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101ACT,RN1102ACT,RN1103ACT RN1104ACT,RN1105ACT,RN1106ACT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 0.5 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor r

 0.2. Size:167K  toshiba
 rn1101ct rn1106ct.pdf pdf_icon

RN1106

RN1101CT RN1106CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101CT,RN1102CT,RN1103CT RN1104CT,RN1105CT,RN1106CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 0.5 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces par

 0.3. Size:1016K  toshiba
 rn1101mfv rn1102mfv rn1103mfv rn1104mfv rn1105mfv rn1106mfv.pdf pdf_icon

RN1106

RN1101MFV RN1106MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101MFV,RN1102MFV,RN1103MFV RN1104MFV,RN1105MFV,RN1106MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1105CT, RN1105FS, RN1105MFV, RN1105, RN1106ACT, RN1106CT, RN1106FS, RN1106MFV, 2SD669, RN1107ACT, RN1107CT, RN1107FS, RN1107MFV, RN1107, RN1108ACT, RN1108CT, RN1108FS