Справочник транзисторов. RN1106

 

Биполярный транзистор RN1106 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1106
   Маркировка: XF
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT416 SC75 SSM
 

 Аналог (замена) для RN1106

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  toshiba
rn1101 rn1106.pdfpdf_icon

RN1106

RN1101RN1106 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101, RN1102, RN1103, RN1104, RN1105, RN1106 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2101~ RN2106 Equivale

 0.1. Size:168K  toshiba
rn1101act rn1106act.pdfpdf_icon

RN1106

RN1101ACT ~ RN1106ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101ACT,RN1102ACT,RN1103ACT RN1104ACT,RN1105ACT,RN1106ACT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.050.50.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor r

 0.2. Size:167K  toshiba
rn1101ct rn1106ct.pdfpdf_icon

RN1106

RN1101CT ~ RN1106CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101CT,RN1102CT,RN1103CT RN1104CT,RN1105CT,RN1106CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.050.50.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces par

 0.3. Size:1016K  toshiba
rn1101mfv rn1102mfv rn1103mfv rn1104mfv rn1105mfv rn1106mfv.pdfpdf_icon

RN1106

RN1101MFVRN1106MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101MFV,RN1102MFV,RN1103MFV RN1104MFV,RN1105MFV,RN1106MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of par

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CA3250F | KRC161F | NSS60101DMT

 

 
Back to Top

 


 
.