RN1118MFV - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RN1118MFV
Маркировка: XW
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT723 VESM
Аналоги (замена) для RN1118MFV
RN1118MFV - технические параметры
rn1114mfv rn1115mfv rn1116mfv rn1117mfv rn1118mfv.pdf
RN1114MFV RN1118MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114MFV,RN1115MFV,RN1116MFV,RN1117MFV,RN1118MFV Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Unit mm Driver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.80 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufac
rn1114 rn1118.pdf
RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a
rn1114-rn1118.pdf
RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114 2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor
rn1114f rn1118f.pdf
RN1114F RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi
Другие транзисторы... RN1116MFV , RN1116 , RN1117FT , RN1117F , RN1117MFV , RN1117 , RN1118FT , RN1118F , 2SD1047 , RN1118 , RN1119MFV , RN1130MFV , RN1131MFV , RN1132MFV , RN1301 , RN1302 , RN1303 .
History: RN1301 | BD510 | RN1307
History: RN1301 | BD510 | RN1307
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526






