Биполярный транзистор RN1317
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1317
Маркировка: XU
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
SOT323
SC70
USM
Аналоги (замена) для RN1317
RN1317
Datasheet (PDF)
..1. Size:455K toshiba
rn1314 rn1315 rn1316 rn1317 rn1318.pdf RN1314RN1318 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1314,RN1315,RN1316 RN1317,RN1318 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2314~RN2318 Equivalent Circuit and Bias Res
9.1. Size:159K toshiba
rn1314-rn1318.pdf RN1314RN1318 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1314,RN1315,RN1316 RN1317,RN1318 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2314~RN2318 Equivalent Circuit and Bias Res
9.2. Size:261K toshiba
rn1310 rn1311.pdf RN1310,RN1311 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1310,RN1311 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2310 and RN2311 Equivalent Circui
9.3. Size:287K toshiba
rn1312 rn1313.pdf RN1312,RN1313 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1312,RN1313 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2312, RN2313 Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.